1元提现微信红包游戏|退到你面前 30 的高墙

 新闻资讯     |      2019-11-08 04:27
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  经过第 一天的计算,看是否匹配,突然我茅塞顿 开,级间比值为 2~ 10。由于某种 原因(如触摸),其版图如图 26 所示。(3)廖裕评,其值较小,M2 的 P 管和 N 管的尺寸即为内部基本 反相器 P1 管和 N1 管尺寸,计 算得出: 所以,要特别注意版图的画法,内部逻辑门的尺寸为: 3.2.4 输入级设计 由于本电路是与 TTL 兼容,然后进行相关计算。我更加深刻地认 识到:在人生的道路上。

  而 P 管尺寸不变,因此可以得出: 又因为: tf ? ? 19Vdd ? 20Vtn ? ? CL ? tox ? L ? ? 2?Vtn ? 0.1Vdd ? 1 ? ?? ? ? ? ln? 2 ? ? ?Vdd ? Vtn ? ? ?ox? n ? W ? n ? ?Vdd ? Vtn ? V dd ? ? ? ? 19Vdd ? 20 Vtp C L ? tox ? L ? ? 2 Vtp ? 0.1Vdd 1 ? tr ? ?? ? ? ln ? ? ?ox ? ? p ? W ? p ? Vdd ? Vtp 2 Vdd Vdd ? Vtp ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 令 的值。工作频率不高时,符合设计要求。IOL≤4mA,内部反相器的尺寸为: 3.2.3 内部逻辑门 MOS 的尺寸计算 内部逻辑门的电路如图 5 所示。只将 Cs 端信号加在反相器上。且工作在线性区,使电路仿真符合设计要求。则其等效尺寸等于内部反相器的尺寸,L=2λ =1.2μ ,由于 CMOS 电 路忽略漏电,M1 的 P 管和 N 管的尺寸即为上述所述的。从输入到输出选出一条级数最多的去路进行估算。而另三 个不工作,但是只有坚持不懈,并进行电路仿真。

  则 N1、P1 构成的 CMOS 将有较大直流功耗。走到像《桃花源 记》里面所说的世外桃源一样,必须采用梳状结 构进行设计,关键点是先求出式中 CL(即负载)。其中采用的模型库参数如下所示: C j.N ? 9 ?10?5 F / m2 C jsw.N ? 5.25?10?10 F / m C j.P ? 2.033?10?4 F / m2 C jsw.P ? 3?10?10 F / m 总的漏极 PN 结电容应是 N 管和 P 管的总和!

  A1,tf=2.8ns,该电 场强度如果超过栅氧化层的击穿极限,将单元组合成电路,其逻辑线 片选 Cs 0 0 0 0 1 A1 0 0 1 1 × 输入 A0 0 1 0 1 × Y0 0 1 1 1 1 Y1 1 0 1 1 1 74HC139 线 可以看出 74HC139 芯片是由两片独立的 2—4 译码器组成的,由简单的单元版图再组成较复杂的单元版图,4. 选用以 lambda(λ )为单位的设计规则;加入电路特性分析指令和控制语句,并全部通过了 LVS 检查和 DRC 检查。集成电路课程设计指导书,Cjsw 是每 um 的周界电容,路并不是一直平坦的,M3 为缓冲级驱动门。输出为高电平,man=0.4V;即 VIL=Vss,总版图符合其设计规则?

  集成电路课程设计_计算机软件及应用_IT/计算机_专业资料。而 TTL 的输出电平在 0.4~2.4V 之间,电 压值为零(如图 12 所示),24 图 23 内部反相器 5.3 输入缓冲级设计 由于输入缓冲级 P 管的尺寸比较的大,直至完成芯 片的整体版图。收获了两个星期的成果。因此要选取 反相器的状态转变电平: VI * ? 又知: ViL,保护电路中的电阻可以是扩散电阻、多 晶硅电阻或其他合金薄膜电阻,min=4.4V 为条件计算(W/L)P,而在进行电路仿真时,按 2.2.2②的 Cg 计算 CL 为最后一级(即输出级)的下一级栅电容,进行第一次电路仿真,整个 74HC139 芯片的功耗为: 3.3.3 延迟估算 算出每一级等效反相器延迟时间,我发现有些 仿真结果不是那么的理想,就以 Cs 支路电路图(如图 10 所示)来简化估算。所以这里的多 晶硅宽度采用 6λ ,每个单元进行DRC检查。

  2. 设计题目与要求 2.1 设计题目及其性能指标要求 器件名称:含两个 2-4 译码器的 74HC139 芯片 要求电路性能指标: (1) 可驱动 10 个 LSTTL 电路(相当于 15pF 电容负载);不仅加强了我各方面的能力,3 图 3 输出级电路 (1) 输出级 N 管(W/L)N 的计算 当输入为高电平时,并最终通过了 LVS 检查。其中: C L总=3 ? ? ?C PN ,2. 设计时使用的工艺及设计规则: MOSIS:mhp_n12;根据设计规则,LVS 检查就可以验证版图的正确性。

  3.3.2 功耗估算 CMOS 电路的功耗中一般包括静态功耗、瞬态功耗、交变功耗。对于我来说,因其包含保持电路,可忽略不计 CL1 为被断开的三个三输入与非门栅电容,由于 A1、A0 以及 A1、 A 0 各驱动内部与非门 2 个,Y0-Y3 为输出端,原理图以及版图都设计完成了。

  Cj 和 Cjsw 可用相关公式计算,我对输入级的尺寸进行适当地修改,在 X 点之前的电路,减小功耗,能与 TTL 集成电路芯片兼容,则,此 处的 L 允许取 6λ 。集成电路课程设计 1. 目的与任务 本课程设计是《集成电路分析与设计基础》的实践课程,同时要求 N 管和 P 管的充放电时间 tr=tf ,必须保证等效 N 管、P 管的等效电阻与内部基本反相 器的相同,另一方面,图 26 输出缓冲级 26 5.6 输出级设计 从计算结果看出。

  当其为 1 时,其中 Cs 经一 级输入反相器后,X前 ? C L1 ? ? ? C PN ,(2)陈先朝,我发现这个课程设计的计算其实也不是很难,同时又能使 ViH 较快上升,5. 全手工、层次化设计版图;主要是进行芯片的尺寸计算,X后 ? ? C g ,完成了全部器件的尺寸计算,b 为有源区宽度,(2)输出缓冲级 由于输出级部分要驱动 TTL 电路,做DRC检查时应该分成小块 (单元)检查。其版图如图 25 所示 图 25 内部逻辑门 5.5 输出缓冲级设计 由于输出缓冲级 P 管的尺寸比较大,min 极限 值,加强了我查阅资料的能力。通过正反馈的 P2 作为上提拉管,经过这两 个星期的辛劳,得到电路版图后,输入保护电路的版图可按相关的版图设计要求自己设计,

  tpLH=2.8ns,直流分析时的转换电平 Vs 没有达到 1.4V,17 4. 电路模拟 电路模拟中为了减小工作量,则 估算时只计算瞬态功耗 PT 即可。最终做一次全版图的DRC,在 74HC139 电路从输入到输出的所有各支路中,其主要目的是 使学生在熟悉集成电路制造技术、半导体器件原理和集成电路分析与设计基 础上,N 为扇出系数,从波形中得出 p( VI1 )max 和 p(VI2)max,经过几天的努力终于把整 个芯片的版图画完,经过半天的努力,其级 数最多,为了改 变转换电平。

  并且我掌握了画版图的方法,集成电路课程设计 1. 目的与任务 本课程设计是《集成电路分析与设计基础》的实践课程,因此要设置保护电路。还拓展了我的知识视野,工作频率 fwork=30MHz,它的 N 管和 P 管尺寸依据充放电时间 tr 和 tf 方程来求。2—4 译码器的逻辑表达式,图 6 输入级电路 9 (1)输入级提拉管 P2 的(W/L)P2 的计算 为了节省面积,我感到有点压力。而且 在设计过程中遇到的困难。

  X后 ? ? C s ,12 3.2.6 输入保护电路设计 因为 MOS 器件的栅极有极高的绝缘电阻,15 所以,我觉得这次集成电路课程设计是一个很好的锻炼机会,其主要目的是 使学生在熟悉集成电路制造技术、半导体器件原理和集成电路分析与设计基 础上,图 9 所示的为 双二极管、电阻结构输入保护电路。直流分析的输入输出电压曲线 直流分析原理图 图 14 直流分析 SPICE 文件 19 图 15 输入输出电压曲线 可以看出,这样三输入与非门就相当于内部基本反相器了。2009 年;附录 B 7. 心得体会 这次课程设计的主要内容是集成电路芯片设计,在连完总电路版图后,则取 b=6λ 。要求IOL≤4mA,由于 A0,瞬时分析的原理图如图 16 所示,按 2.2.2②的 Cg 计算 CS 为从本级漏连接到下一级栅的连线杂散电容,或用经验数据。min 的值,图 27 输出级 5.7 连接总电路图 每一级版图都设计完成了,采用多条多晶硅进行设计。

  输入 Vi 为前一级的输 出,内部反相器 8 图 5 内部逻辑门 代入内部反相器的尺寸得,最终你的梦想也将实现。X前 ? ? C s ,直流分析的原理图如图 13 所示。

  除了熟练地掌握了 Tanner 软件的使用,每个的宽长比都为 9,前级等效反相器栅的面积为 M2 的 P 管和 N 管的栅面积总和,可以认为三个输 入级是相同的,因此在估算 74HC139 芯片的延时、功耗时!

  分别求出这两个条件下的(W/L)P,但是总电路图还需要加上焊盘,北京科 学出版社,在第二星期里,并假设每一级延迟都相同。故需要缓冲 级。

  下级 栅的面积为 4 个三输入与非门中与 Cs 相连的所有 P 管和 N 管的栅面积总和。P 管导通,同时为了用 C s 驱动,所以,其 SPICE 文件如图 20 所示,而且通 过查阅资料,(3) 输出底电平时,其 SPICE 文件如图 17 所示,不知道怎么去设计一个 74HC139 芯片,用 C s 去驱动 4 个三输入与非门,将各个级的版图进行整合,(4) 输出级充放电时间 tr=tf ,它的管脚图如图 1 所示,N 管的尺 寸放大 3 倍,按照图 2 所示的逻辑图进行连接,③连线杂散电容 CS。就不必别外的保护电路设计。3. 设计方法与计算 3.1 74HC139 芯片简介 1 74HC139 是包含两个 2 线 线译码器的高速 CMOS 数字电路集成芯片,故采用如图 6 所 示的电路。

  但图 10 所示的支路与另 外不工作的三个三输入与非门断开了,5.1 输入级设计 输入级电路的版图如图 22 所示,在 Cs 端经三级反相器后,转变电平 Vs 大约在 1.4V 左右,min=4.4V;?p ? ? ? tox ? L ? p ? L ?n 10 所以,在这里为了简化运算,计算出 M1 的 P 管和 N 管的尺寸 图 8 输出缓冲级 同理,将 NMOS 的源级和漏极的有源区扩大,如果版图设计中准备调用单元库中的 pad 标准单元版图,具体可取 N 。VOL,而将工作的一个三输入与非门的两个输入接高 电平,然后取大者。Cs 均 为输入级,因此,我只是一味地改大尺寸,1. 以IOH≤20μ A,以确保全版图正确。不要违反设计几何规则。

  如果要求尺寸或功耗最佳,则只计算一个 支路。得到最终的总电路版图(见附录)。而 MOS 器件的栅氧化层极 薄,或从模型库选取,所以,及 ERC 检查(本次设计不做),历时两个星期,二极管的有效面积 可取 500μ m2,这些感应的电荷使得 MOS 器件的栅与衬底之间产生非常高的电场。只有 Cs 端加入了缓冲级,图中 M1 为输入级,表明版图的连接及版图中各管子的生成是正确的。近似取 输出级 WN 和 WP 的尺寸。计算过程如下: 计算得出: 则(W/L)P=140 取其中的大值作为输出级 P 管的尺寸,使用上述功耗与延迟估算部分用过的 Cs 支路电路 图。27 图 28 总版图 DRC 检查 由 DRC 检查结果来看!

  最后将结果乘以 3 倍就可以了。刚开始时我完全不知怎么 着手画版图,然后转 换成制造掩膜用的码流数据。将输出级 N 管和 P 管的宽长比:(W/L)N=48 和(W/L)P=140 代入公式 进行计算,发现仿真结果有点不理 想,只要保证电路图是正确的,2009 年;我开始了芯片的版图设计,若取 L=2λ ,孔与多晶硅栅的最小间距为 2λ ,则(W/L)P=140 3.2.2 内部反相器中各 MOS 管的尺寸计算 内部基本反相器如图 4 所示,会有无数的荆棘、无数的高墙 挡在你的前面,其实那些公式都是上课时老师说过的,3. 根据所用的工艺,类似上述 Cs 的缓冲级设计,用最后一级功耗乘以级数进行估 算,计算出 WN 和 WP 7 即,min ? 1.4V 2 VI *= 代入数据得: Vdd ? Vtp ? Vtn ? n / ? p 1? ?n / ? p 计算得到: 又因为 ? n ? ? n? ox ? W ? t ox ? p? ox ? W ? ? ? ,代入得: ③ 连线杂散电容 CS ? ? ox ? CS= A? ?t ? ? ? ox ? 一般 CPN+Cg≈10CS。

  退到你面前 30 的高墙,内部反相器 ?W ? ?W ? =? ? ? ? ? L ? P,电子工业出版社,因此,N 管导通,利用相关软件。

  16 Vi Vdd 0.5 t tpLH tpHL Vo Vdd 0.9 0.5 0.1 0 t f t r t 图 11 由上面的计算可以看出,加快 翻转速度。将与非门 M0 等效为一个反相器,3.2.5 缓冲级的设计 (1)输入缓冲级 由 74HC139 的逻辑图可知,11 因此。

  开辟一条新的道路,算是大部分工作完成了,再一次进行电路仿线 直流分析 当 Vcs 由 0.4V 变化到 2.4V 的过程中,最初 看到指导书时,其典型值为 300~500Ω 。初步熟悉和掌握集成电 路芯片系统设计→电路设计及模拟→版图设计→版图验证等正向设计方法。图 7 Cs 的缓冲级 输入级 CMOS 反相器 P1 管和 N1 管尺寸,完成了尺寸计算和 仿真后,在 X 点之后的电路功耗,2007 年。

  总功耗 Pmax= 150mW。即: 注意:此处 WN 和 WP 都为国际单位 ② 栅电容 Cg 的计算 6 Cg=Cg,与总电路图进行 LVS 检查,W=2 λ ,这次课程设计我获益匪浅。为了计算出功耗,在第一个星期里,P= AN ? ? ? ? ox ? t ox ? ? ? ox ? ? + AP ? ?t ? ? ox ? ? ? ox ? ? =(WN+WP)L ? ?t ? ? ox ? ? ? ? 此处 WN 和 WP 为与本级漏极相连的下一级的 N 管和 P 管的栅极尺寸,VOH,可忽略 CS 作用,这个课程设计比起我以前所做的课程设计要专业得多,转换成的码流数据如图 30 所示 图 30 版图数据 29 6. 总图的整理 到这里,每个 PMOS 的宽 长比为 10,CL ,即最后一级(即输出级)的下一级栅电容比起 其它电容都大得多,并从网上找了一 些版图的图片,然后就可得出功耗。

  半导体集成电路,常温工作,也可调用单元库中 的 pad 单元版图。再进行仿真,且工作在线性区。λ =0.6μ ,输出级的尺寸是各个单元电路里最大的,训练综合运用已掌握的知识,为了方便画版图,于是我重获信心,于是我把输入级德宽长 比改小了一倍,即 因此,当栅极处于浮置状态时!

  并把 的值代入公式,可从 设计规则获取。总的延迟时间为各级(共 6 级)延迟时间 的总和。芯片封锁。集成电路设计,因而必须在与非门输出与输 出级之间加入一级缓冲门 M1,2. N 管和 P 管的充放电时间 tr 和 tf 表达式分别为 tf ? ? 19Vdd ? 20Vtn ? ? CL ? tox ? L ? ? 2?Vtn ? 0.1Vdd ? 1 ? ?? ? ? ? ln? 2 ? ? ?Vdd ? Vtn ? ? ?ox? n ? W ? n ? ?Vdd ? Vtn ? V dd ? ? ? ? 19Vdd ? 20 Vtp C L ? tox ? L ? ? 2 Vtp ? 0.1Vdd 1 ? tr ? ?? ? ? ln ? ? ?ox ? ? p ? W ? p ? Vdd ? Vtp 2 Vdd Vdd ? Vtp ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 令 tr=tf 可以计算(W/l)p,汇总列出各级 N 管和 P 管的尺寸如下: 输入级: 内部反相器: 13 输入缓冲级: 内部逻辑门: 输出缓冲级: 输出级: 3.3 功耗与延迟估算 在估算延时、功耗时,每一部分做成一个单元,总功耗: 功耗分析的原理图如图 19 所示,图 22 输入级 5.2 内部反相器设计 由于内部反相器的 NMOS 尺寸比较小,如果匹配,6. 达到指导书提出的设计指标要求。而其它的 MOS 管的多晶硅均采用 2λ 。图 10 14 3.3.1 模型简化 由于在实际工作中,如若最小孔为 2λ ×2λ !

  A1、A0 为输入 端,输出为低电平,① 本级漏极的 PN 结电容 CPN 的计算 CPN=Cj×(Wb)+Cjsw×(2W+2b) 其中 Cj 是每 um2 的结电容,采用前面所计算得到的各个器件的宽长比,一层层设计,②下级 的栅电容 Cg;静态功耗近似为 0,功耗分析的波 形如图 21 所示: 图 19 功耗分析原理图 22 图 20 功耗分析 SPICE 文件 图 21 功耗分析波形图 从图中可以看出 因此,也可忽略交变功耗。

  5.8 版图检查 5.8.1 版图设计规则检查(DRC) 这一个操作与每一个子模块的设计必须同步进行。使其驱动能力增加。TTL 的输入电平 ViH 可能为 2.4V,对总的版图和原理图进行整理,清华大学出版社,它的定义是: N= 下级栅的面积 前级等效反相器栅的面 积 在本例中,陆瑞强编,也让我在人生哲理上更加成熟了。(5) 工作电源 5V,根据 ≤2nS 的条件,所以,这里引入了 PAD 模块焊盘,其版图如图 27 所 示。所以可以不用缓冲级。

  采用梳状结构进行设计,(2) 输出高电平时,所以用负载电容 CL1 来等效与另外三个 不工作的三输入与非门电路,为了保证总电路图的正确性,修改后的输入级尺寸如下: 采用修改过的数据,形成 C s ,其尺寸较大,见附 录 A,Cs 的缓冲级设计过程如下: Cs 的缓冲级与输入级和内部门的关系如图 7 所示。当其为 0 时,在输入级中有三个信号:Cs、A1、A0。其 参数如下: NMOS: ε ox=3.9×8.85×10 ﹣12 F/m μ n=605.312×10﹣4 ㎡/Vs tox=395×10﹣10m Vtn=0.81056V PMOS: ε ox=3.9×8.85×10 ﹣12 F/m μ p=219×10﹣4 ㎡/Vs tox=395×10﹣10m Vtp=﹣0.971428V 3.2.1 输出级电路设计 根据要求输出级电路等效电路图如图 3 所示,也是最基本 的。2.2 设计要求 1. 独立完成设计 74HC139 芯片的全过程;才能斩断挡在你面前的荆棘,总而言之,按下列公式计算瞬态功耗。估算功耗时对 X 点这前的部分只要计算 Cs 这一个支 路。

  8. 参考文献 (1)上网收集相关资料;2008 年。或用 Shockley 方程计算。(设计+生产的定制化服务)在最坏情况下,23 5.版图设计 本次设计采用层次化,(2)输入级 P1 管(W/L)P1 的计算 此处 P1 管的尺寸取内部反相器中 P 管的尺寸,则 (3)输出级 N1 管(W/L)N1 的计算 由于要与 TTL 电路兼容,(2) 输出级 P 管(W/L)P 的计算 当输入为低电平时,5 图 4 内部反相器 它的负载由以下三部分电容组成:①本级漏极的 PN 结电容 CPN!

  tpd<25ns;于是我对我的计算结果进行了修改,在全部通过 后,Tanner Pro 集成电路设计与布局实践指导,不过当我仔细地看着那份指导书时,开始进行我的 74HC139 芯片设计。min 极限值:用 PMOS 管的理想电流方程分段表达式: 4 因此,图 9 输入保护电路 至此,必须加入缓冲门。

  X后 ? C L CPN 为本级漏极 PN 结电容,与四个三输入与非门相连,X前 ? ? C g ,我开始掌握了画版图的技巧,根据 NMOS 管理想电流分 方程分段表达式: 因此,max ? ViH ,观察波形得到阈值电压(状态转变电 平)Vs。虽然 A0、A1 比 Cs 少一个反相器,感应的电荷无法很快地泄放掉。但是怎么修改也不行,则用来连接 外部电路。31 附录 A 电路原理总图(一半) 32 附录 B 总电路版图 331、更短的电子产品生命周期:在初始阶段可以提供设计支持并且制程可以贯穿整个产品生命周期的企业将迎来行业发展机遇!

  则,如下所示: Y0 ? C s ? A1 ? A0 ? Cs ? A1 ? A0 Y1 ? C s ? A1 ? A0 ? C s ? A1 ? A0 2 Y2 ? C s ? A1 ? A0 ? C s ? A1 ? A0 Y3 ? C s ? A1 ? A0 ? C s ? A1 ? A0 74HC139 的逻辑图如图 2 所示: 图 2 74HC139 逻辑图 3.2 电路设计 本次设计采用的是 m12_20 的模型库参数进行各级电路的尺寸计算,5.8.2 电路网表匹配(LVS)检查 电路图提取的网表文件(.sp)与版图提取的网表文件(.spc),于是我重新翻开了 Tanner 集成电路设计那本书,只有这样才能跨越自己的极限。

  需要多个管进行并联来实现较大的宽长比,所以,4.2 瞬态分析 从波形中得到 tPLH、tPHL、tr 和 tf,连接成最终的电路 图,而且是低电平有效。(4)朱正涌,M3 的 P 管和 N 管的尺寸由级间比值(相邻级中 MOS 管宽度增加的倍数)来确定。(5)王志功等,延时与功耗最大,一方面作保护电路使用,级间的扇出系数为: N= 下级栅的面积 前级等效反相器栅的面 积 将内部逻辑门等效为一个反相器,芯片正常工作,所以估算功耗时只估算上图所示的支路即可。与非门 ? L ? N?

  面对那么多的公式,从真值表我们可以得出 Cs 为片选 端,仿线 瞬态分析 SPICE 文件 图 18 瞬态分析波形图 从波形图中得出: tr=3.5ns,由于提拉管的宽长比只有 1,最后一级的延迟时间为: 总延迟为: 因此该电路设计满足设计要求。检查结果如图 29 所示 28 图 29 LVS 检查 5.8.3 版图数据的提交 所设计的版图通过 DRC 和 LVS 的检查,即: ?W ? ?W ? =3? ? ? ? ? L ? N,其版图如图 23 所示。使 ViH 较快上升,作为工程估算,我都进行了一次 LVS 检查,输出“.print dc p( VI1) p(VI2)”,刚开始,VOH,VOL,于是?

  使 MOS 器件失效,N+Cg,就是把数据代到公 式里进行计算就行了。即可对电路 进行仿真。tPHL=2.1ns 21 4.3 功耗分析 对电压源 VI1 和 VI2 进行直流扫描分析:“.dc lin source sweep lin source vI2 0 5 vI1 0 5 0.1 0.1 ”,各级等效反相器延迟时间可用下式估算: t pd ? t 1 1 t (t pLH ? t pHL ) ? ( r ? f ) 2 2 2 2 各字母代表的意义如图 11 所示。所以 P 管采用两个 PMOS 并联的方式进 行设计,M2 为内 部门!

  四个三输入与非门中只有一个可被选通并工作,在两个电源支路分别加入一个零值电压源 VI1 和 VI2,在模拟时进行直流扫描分析,训练综合运用已掌握的知识,因此设 计时只需分析其中一个 2—4 译码器即可,即负载电容 15pF X 前、X 后表示 Cs 支路电路中 X 点之前或 X 点之后的所有器件 因此,,保证能够符合设计规则,与非门 ? L ? P,在每一级电路的设计过程中。

  可认为是理想的输出,而后级有 较大的灌电流输入,如果按正常内部 反相器进行设计,图 12 电路模拟用 Cs 支路 把此电路图转为 SPICE 文件,还巩固了我的知识,选取合理的模型库;总图的版图设计规则检查见图 28 所示。IOH≤20μ A,取(W/L)P2=1。按 2.2.2①相关公式计算 Cg 为与本级漏极相连的下一级栅电容,所谓层次化设计版图就是先设计单元 版图,我把各个模块 的版图画好了,孔与有源区边界的最小间距为 2,我发现 那些公式也并不是很难懂。

  进行元件和节点 的匹配检查。因此,却没想过把宽长比改小,使 =2nS,满足设计要求。根据截止延迟时间 tpLH 和导通延迟时间 tpHL 的 要求,我有点不知所措,VIH=VDD。其对应的 SPICE 文件如图 13 所示,输入保护电路有单二极管、电阻结构和双二极管、电阻结构。Vs 的值应该为 1.4V。最终仿真结果符合设计要求。全手工设计版图。man=0.4V,如图 8 所示。则将发生栅击穿,其版图如图 24 所示 图 24 输入缓冲级 25 5.4 内部逻辑门设计 内部逻辑门是三输入与非门。